发明名称 | 一种低膨胀高导热的硅铝合金 | ||
摘要 | 一种低膨胀高导热的硅铝合金,其基本的化学配方为,重量百分比:硅50%-80%,铝及不可避免的杂质余量;还可以添加第三组元,选自硼、铬、铁、钛、钒、镍、锰、磷中的一种或多种组合,加入量0.01-1.0%,这种硅铝合金可以用常规的热加工工艺制备,合金的热膨胀系数连续可调,其变化范围为6-12×10<SUP>-6</SUP>/K,热导率变化范围110-150W/mK,比重为1.7-2.5g/cm<SUP>3</SUP>,本发明特别适用于大规模集成电路的电子封装,大功率晶闸管管座等要求高强度散热场合的热沉材料。 | ||
申请公布号 | CN1150343C | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
申请号 | CN01114124.7 | 申请日期 | 2001.06.22 |
申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 冼爱平;闵家源 |
分类号 | C22C29/18 | 主分类号 | C22C29/18 |
代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
主权项 | 1、一种低膨胀高导热的硅铝合金,其特征在于合金配方成份范围如下,重量百分比:硅 50~80%铝及不可避免的杂质 余量。 | ||
地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |