Verfahren zum Entfernen von Seitenwandabstandselementen eines Halbleiterelements unter Anwendung eines verbesserten Ablöseprozesses

摘要

Ein Verfahren zur Verbesserung des Ätzverhaltens von Seitenwandabstandselementen bei der Herstellung eines CMOS-Bauteils ist hierin offenbart. Die Ätzrate des Materials der Seitenwandabstandselemente hängt von den Implantationsbedingungen ab. Somit sind die Ätzraten für n- und p-Transistoren unterschiedlich. Um die Seitenwandabstandselemente geeignet zu entfernen, werden die Ätzraten durch Ionenimplantation geändert, um damit die Materialstruktur der Seitenwandabstandselemente zu modifizieren und die Ätzrate des Materials zu erhöhen. Die erhöhte Ätzrate führt zu einer kürzeren Prozesszeit beim Entfernen der Seitenwandabstandselemente. Somit werden die umliegenden Gebiete weniger durch den Abtragungsprozess beeinflusst und die Bauteilzuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit werden verbessert.