半导体装置

摘要

一种半导体装置，为了使开关电流装置为5GHz，必须设置并联FET，为提高绝缘，栅极电极邻接的FET之间必须确保20um左右的间隔距离。在FET的栅极电极及电极焊盘、配线邻接的其它的FET、栅极金属层、杂质区域之间设置高浓度杂质区域，抑制耗尽层的扩展。在FET的掩膜对位中，使用在源漏极区域上设置的氧化膜提高掩膜对位的精度。即使缩小栅极宽度，也可提高FET的基本性能，在现有同等的特性中，可缩小栅极宽度，可降低FET间的间隔距离，故可实现绝缘提高的5GHz开关。

主权项

1、一种半导体装置，其将位于半绝缘衬底上或半导体衬底的绝缘化层上并与该半绝缘衬底或半导体衬底的绝缘化层形成肖脱基结的金属层及杂质扩散区域多个集成，其特征在于，一个所述金属层至少在和其它金属层或杂质扩散区域相邻的区域的附近设置高浓度杂质区域，抑制自所述一个金属层向所述衬底延伸的耗尽层的扩展。