| 发明名称 | 在具有大的高宽比的亚微米孔及线路中形成衬垫的方法 | ||
| 摘要 | 一种在具有大的高宽比的亚微米孔及线路中形成衬垫的方法包括下列步骤：通过准直器把难熔金属或合金在散射淀积占优势的气压下溅射到介质中具有大的高宽比的亚微米孔或线路中，以形成一个共形涂覆层，即衬垫。 | ||
| 申请公布号 | CN1150597C | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN97119557.9 | 申请日期 | 1993.02.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 雷吉夫·V·乔西;杰罗姆·J·库欧莫;霍玛兹雅·M·达拉尔;路易斯·L·苏 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/768;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种在具有大的高宽比的亚微米孔及线路中形成衬垫的方法，包括下列步骤：提供一具有大的高宽比的亚微米孔或线路的介质；以及通过准直器把难熔金属或合金在大于1毫乇的散射淀积占优势的气压下溅射到所述亚微米孔或线路中，以形成一个共形涂覆层，即衬垫。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||