有磁力地稳定的磁阻存储元件

摘要

一种磁阻存储元件(100)包括第一(110)和第二(130)导电磁层。第一和第二层中其中一层基本上是“H”或“I”形。一个隔离层(120)被安排在第一和第二层之间。在不同的实施例中，隔离层要么是导电的要么是绝缘的。在不同的实施例中，第一和第二层的至少一层包括镍铁合金(NiFe)、钴铁合金(CoFe)、或镍铁钴合金(NiFeCo)中的一种。在一种实施例中，存储元件装置包括导电的磁性参考和数据层。数据层(400)基本上是“H”或“I”形。一个隔离层被安排在参考层和数据层之间。元件可以是隧道效应磁阻元件或巨磁阻(GMR)元件。隔离层在一种实施例中是绝缘的，在一种可选的实施例中是导电的。在不同的实施例中，参考层和数据层的其中一层包括镍铁合金、钴铁合金、或镍铁钴合金中的一种。

主权项

1.一种存储元件装置，包括：一个第一和一个第二磁层，其中第一和第二层中至少一个是用于存储数据的“H”形的数据层；和一个被安排在第一和第二层之间的隔离层。