引入了金属籽晶层的铜互连结构

摘要

本发明公开了一种用于提供与电子器件电联耦合的互连结构，该互连结构包括基本上由铜构成的主体和或者是铜合金或者是不含铜的金属构成的籽晶层，所说籽晶层夹在铜导电体和电子器件之间，用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。本发明还公开了形成用于提供与电子器件的电连接的互连结构的方法，包括以下步骤：首先在电子器件上淀积铜合金或不含铜的其它金属构成的籽晶层，然后在籽晶层上与之紧密键合地形成铜导电主体，以便改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。

主权项

1.一种用于提供与电子器件的电连接的互连结构，包括：由铜和重量百分比为0.001wt％-10wt％的选自C、N、Cl、O和S中的至少一种合金元素形成的主体；及夹在所说主体和所说电子器件之间且与它们紧密接触的铜合金籽晶层，用于改善所说互连结构的抗电迁移性。