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Bei einem erfindungsgemäßen MOS-Transistor mit einem Source-Bereich (12), einem Drain-Bereich (16a, 16b) und einem Kanal-Bereich (14), die in einer Halbleiterschicht (18) eines SOI-Substrates (20) gebildet sind, das unter der Halbleiterschicht (18) ein Halbleitersubstrat (24) und zwischen Halbleiterschicht (18) und Halbleitersubstrat (24) eine Isolationsschicht (22) aufweist, ist der Drain- oder Source-Bereich (12, 16a, 16b) mit einem Rückseitenkontakt (36) auf einer der Isolationsschicht (22) abgewandten Seite des Halbleitersubstrates (24) über eine durch das Halbleitersubstrat (24) verlaufende Durchkontaktierung (34) elektrisch verbunden. Der Kerngedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß ohne Einschnitte in dem Anwendungsspektrum eine leichte Kontaktierbarkeit eines MOS-Transistors erzielt werden kann, indem eine Durchkontaktierung von entweder dem Source- oder dem Drain-Bereich über sowohl die Isolationsschicht als auch das Halbleitersubstrat hinweg zu einem Rückseitenkontakt geführt wird, um mit demselben elektrisch verbunden zu sein, da sich hierdurch die Anforderungen an die Materialeigenschaften des Halbleitersubstrates, wie z. B. Dotierung bzw. Leitfähigkeit, erübrigen bzw. reduzieren.
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