| 发明名称 |
MOS-Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69627975(T2) |
申请公布日期 |
2004.05.19 |
| 申请号 |
DE19966027975T |
申请日期 |
1996.12.27 |
| 申请人 |
NEC ELECTRONICS CORP., KAWASAKI |
发明人 |
IMAI, KIYOTAKA |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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