硅与硅真空键合装置

摘要

涉及一种半导体器件或其部件的制造或处理，尤其是一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置。设有上盖、底座和真空密封圈；真空密封圈设于上盖与底座之间；在上盖中由下表面至上盖外设管道，在底座中由上表面至底座外设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。可以实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合，其优点是用于硅与硅真空加力键合工艺时，具有极强的预键合强度，可广泛应用在SOI硅片的生产，微机电(MEMS)器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。其制作成本低，键合成功率高，工艺过程容易成批量生产。

主权项

1、硅与硅真空键合装置，其特征在于设有上盖、底座和真空密封圈；真空密封圈设于上盖与底座之间；在上盖中由下表面至上盖外设管道，在底座中由上表面至底座外设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。