| 发明名称 | 用于底切的金属布线方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法，该方法包括：在硅衬底上设置MEMS元件；将玻璃晶片焊接至具有设置在其上的MEMS元件的硅衬底的上部，该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞；在该孔洞中沉积用于该金属布线的薄金属膜；以及离子研磨该沉积的薄金属膜。通过离子研磨，该方法能够将金属布线连接至具有底切的通路孔。 | ||
| 申请公布号 | CN1496951A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN200310102403.9 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋基武;姜锡镇;郑锡焕;李文喆;丁奎东;金钟硕;全灿凤;洪硕佑;姜正浩 |
| 分类号 | B81C1/00;H01L21/60 | 主分类号 | B81C1/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法，该方法包括：在硅衬底上设置MEMS元件；将玻璃晶片焊接至具有设置于其上的MEMS元件的硅衬底的上部，该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞；在该孔洞中沉积用于金属布线的薄金属膜；以及离子研磨该沉积的薄金属膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||