| 发明名称 | 半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制造方法。在该半导体激光器中，盖(32)的凸缘(33)带有直线切割部(34)，其数量与管座(35)的凹槽(36，37)的数量一致。当将切割部(34)定位在与管座(35)的凹槽(36，37)在位置上不相重叠的地方时，对盖(32)和管座(35)之间进行焊接。盖(32)的切割部(34)确保在管座(35)的没有凹槽(36，37)的区域得到大面积的参考面38。其结果是，在抑制小直径管座(35)的不平坦度相对于光轴与光学拾波器的参考面的法线偏移的偏移角θ的影响的同时，能够确保在光学特性上获得足够的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN1497806A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN200310120334.4 | 申请日期 | 2003.10.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 竹川浩 |
| 分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，包括：一半导体激光元件；一大致为圆形的管座，所述的半导体激光元件装配在其上，所述管座在外部周边部分具有至少一个凹槽；以及一覆盖所述半导体激光元件的盖，所述盖具有用于焊接到管座的上表面上的凸缘；其中，所述盖的凸缘设有至少一切割部；以及当所述盖被焊接到管座上时，所述切割部或所述凸缘的每一切割部被定位在管座中没有凹槽的区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||