Halbleiterelement mit verbesserten Dotierprofilen und ein Verfahren zur Herstellung der Dotierprofile eines Halbleiterelements

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung aktiver Gebiete von Feldeffekttransistoren ist offenbart. Gemäß dem vorgeschlagenen Verfahren werden flache Implantationsprofile für die Halo-Strukturen und die Source- und Draingebiete ermöglicht, indem eine zweistufige Schädigungs- und Amorphisierungsimplantationssequenz ausgeführt wird. Während eines ersten Schritts wird das Substrat während eines ersten leichten Ionenimplantationsschritts geschädigt und anschließend im Wesentlichen vollständig während eines zweiten Ionenimplantationsschritts amorphisiert.