发明名称 |
在半导体存储装置中提供页面模式操作的电路和方法 |
摘要 |
一种具有部分激活构架的半导体存储器件,在以部分激活模式操作的同时提供有效的页面模式操作。控制电路和方法被用来启动具有部分激活构架的半导体存储器件(比如DRAM,FCRAM)中的页面模式操作(用于读写数据存取),从而提高当数据从具有相同字线地址的存储位置写/读时的数据存取速度。在一个方面,一种存取存储器中数据的方法包括:激活对应于第一地址的第一字线以执行数据存取操作;接收第一地址后的第二地址,如果第二地址与第一地址相同,生成页面模式启动信号,以便在激活对应于第二地址的第二字线的同时保持对应于第一地址的第一字线的已激活状态;并响应页面模式启动信号的禁止,去激活第一和第二字线。 |
申请公布号 |
CN1497607A |
申请公布日期 |
2004.05.19 |
申请号 |
CN200310100727.9 |
申请日期 |
2003.10.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李润相;李祯培 |
分类号 |
G11C11/4063;G11C11/409;G11C7/10 |
主分类号 |
G11C11/4063 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
郭定辉;马莹 |
主权项 |
1、一种存取存储器件中数据的方法,包括以下步骤:激活对应于第一地址的第一字线,以执行数据存取操作;接收第一地址后的第二地址;如果第二地址与第一地址相同,则生成页面模式启动信号,以保持对应于第一地址的第一字线的已激活状态,同时激活对应于第二地址的第二字线;和响应页面模式启动信号的禁止,去激活第一和第二字线。 |
地址 |
韩国京畿道 |