| 发明名称 |
基于电编程三维存储器的集成电路自测试方法 |
| 摘要 |
电编程三维存储器(EP－3DM)很适合用作存储被测试集成电路(CUT)的测试数据。在与CUT集成时，EP－3DM对CUT的版图影响极小。很明显，与EP－3DM集成的CUT支持自测试。同时，由于EP－3DM与CUT之间有很大带宽，基于EP－3DM的集成电路自测试支持同速测试。 |
| 申请公布号 |
CN1497729A |
申请公布日期 |
2004.05.19 |
| 申请号 |
CN03145663.4 |
申请日期 |
2002.09.30 |
| 申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
| 分类号 |
H01L27/115;H01L27/10;H01L21/66;G11C29/00 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种支持基于电编程三维存储器(EP-3DM)进行自测试的集成电路，其特征在于含有：一衬底电路(0s)，该衬底电路还含有一被测试电路(CUT)(0CUT)和一周边电路；至少一集成于所述衬底电路上方的EP-3DM(0)，该EP-3DM存储至少部分该CUT的测试数据(002)和/或测试数据的籽数据(002c)。 |
| 地址 |
610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 |
