| 发明名称 | 低介材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E<SUB>0</SUB>’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E<SUB>0</SUB>’)的低介材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1497613A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN03141324.2 | 申请日期 | 2003.05.30 |
| 申请人 | 西米克斯技术公司;气体产品与化学公司 | 发明人 | J·F·柯纳;J·E·麦杜格尔;B·K·彼得森;S·J·韦格尔;T·A·戴斯;M·德文尼;C·E·拉姆柏格;K·乔恩德劳蒂斯;K·森达克 |
| 分类号 | H01B3/00;H01L21/31 | 主分类号 | H01B3/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏;郭广迅 |
| 主权项 | 1.一种低介材料，该材料具有：约3.7或更小的介电常数；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E0’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||