离子源、离子注入设备、半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种有助于应用到微细构造的半导体器件制造时延长寿命可能的离子源、离子注入设备、以及半导体器件制造方法。本离子源，具备有内壁面和外壁面的室，而且与该室绝缘设置的，在室内能发出热电子的阴极，所述阴极具有从室的外壁面到内壁面贯通设置的开口部从外侧突入室内的阴极罩和设于该阴极罩内侧的灯丝，阴极罩和/或灯丝是含有以钨(W)为主要成分，以规定金属元素作为次要成分的合金。

主权项

1.一种离子源，其特征在于具备具有内壁面和外壁面的室，和与所述室绝缘设置的，在所述室内能发出热电子的阴极，所述阴极具有从所述室的所述外壁面到所述内壁面贯通设置的开口部外侧突入所述室内的阴极罩和设于所述阴极罩内侧的灯丝，所述阴极罩和/或所述灯丝是含有以钨(W)为主要成分，以规定金属元素作为次要成分的合金。