发明名称 | 芯片在薄膜上的半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 按照本发明,COF半导体器件的制造方法包括:步骤(A),对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分;步骤(B),在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触;以及步骤(C),借助于使绝缘树脂成分固化,将半导体元件固定到布线图形上,从而进行电连接,其中,COF半导体器件的制造方法还包括步骤(D),在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后,从背面一侧对绝缘带进行预热。 | ||
申请公布号 | CN1497689A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
申请号 | CN03132660.9 | 申请日期 | 2003.09.30 |
申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 濑古敏春 |
分类号 | H01L21/50;H01L23/00 | 主分类号 | H01L21/50 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
主权项 | 1、一种COF半导体器件的制造方法,它包括:步骤(A),对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分;步骤(B),在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触;步骤(C),借助于使绝缘树脂成分固化,将半导体元件固定到布线图形上,从而进行电连接;以及步骤(D),在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后,从背面一侧对绝缘带进行预热。 | ||
地址 | 日本大阪市 |