发明名称 |
用于有机发光二极管制造的激光热转移间隙控制 |
摘要 |
在制备OLED器件工艺中在衬底上沉积有机发射器层的方法,包括提供涂敷具有有机发射器的有机发射器层的施主元件,所述有机发射器具有期望的发射光谱,并易对衬底热转移;根据材料转移关系相对衬底预定距离安置施主元件涂敷面以在减压环境下沉积发射器层,选择预定距离以使OLED器件的发射光谱为期望的发射光谱;及加热施主元件促使转移层转移以在有机光发射器件上形成发射器层。 |
申请公布号 |
CN1497752A |
申请公布日期 |
2004.05.19 |
申请号 |
CN200310100611.5 |
申请日期 |
2003.10.08 |
申请人 |
伊斯曼柯达公司 |
发明人 |
M·S·博贝里;F·瓦赞 |
分类号 |
H01L51/40;B41M3/00;B41M5/26;B41M5/38 |
主分类号 |
H01L51/40 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
赵苏林;段晓玲 |
主权项 |
1.在制备OLED器件的工艺中在衬底上沉积有机发射器层的方法,包括下列步骤:a)提供涂敷带有包括有机发射器的有机发射器层的施主器件,所述有机发射器具有期望的发射光谱并易于热转移至衬底;b)根据材料转移关系相对衬底以预定距离放置施主元件涂敷面,以在减压环境下沉积发射器层,选择该预定距离以使OLED器件发射的光谱为期望的发射光谱;和c)加热施主元件促使可转移层转移,以在有机发光器件上形成发射器层。 |
地址 |
美国纽约州 |