发明名称 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Verdrahtungsstruktur
摘要 An einer Isolierschicht (3, 23) wird ein erster vertiefter Abschnitt (7, 27) gebildet. In den ersten vertieften Abschnitt und auf die Isolierschicht wird ein Verfüllmaterial (8, 28) ein- bzw. aufgebracht, um den ersten vertieften Abschnitt zu verfüllen. Ein chemisch-mechanisches Polieren des Verfüllmaterials wird durchgeführt, bis die Isolierschicht freiliegt, wobei das Verfüllmaterial nur im ersten vertieften Abschnitt verbleibt. Auf der Isolierschicht, in der das Verfüllmaterial vergraben liegt, wird ein Resist (10, 30) mit einer Strukturierung eines zweiten vertieften Abschnitts (11, 31) gebildet, der den ersten vertieften Abschnitt überlagert. Das Verfüllmaterial und die Isolierschicht werden unter Verwendung des Resists als Maske auf eine vorbestimmte Tiefe geätzt, um den zweiten vertieften Abschnitt zu bilden. Der Resist und das verbliebene Verfüllmaterial werden nach dem Schritt des Ätzens entfernt. Im ersten vertieften Abschnitt und zweiten vertieften Abschnitt wird ein leitfähiges Material (12, 32) abgeschieden.
申请公布号 DE10349188(A1) 申请公布日期 2004.05.13
申请号 DE20031049188 申请日期 2003.10.22
申请人 RENESAS TECHNOLOGY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 ISHIBASHI, TAKEO;ONO, YOSHIHARU
分类号 H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
地址