Selbstjustierender Transistor und Verfahren zur Herstellung

摘要

Es wird ein Transistor mit einem Kollektor, einem Emitter (EM) und zwischen Kollektor und Emitter angeordneter intrinsischer Basis (IB) vorgeschlagen, bei dem eine extrinsische Basis (EB) zur intrinsischen Basis hin mit einer topologischen Stufe abfällt. Ein sich dieser Stufe anschmiegendes Spacergebiet (SG) definiert die Grundfläche der intrinsischen Basis relativ zur topologischen Stufe und damit relativ zur entrinsischen Basis. Es wird ein Transistor mit exakt einstellbarem Abstand zwischen extrinsischer und intrinsischer Basis und definierten Eigenschaften erhalten.