发明名称 METHOD FOR PRODUCING AN ELEMENT COMPOSING AN ANNULAR MICROSTRUCTURE
摘要 <p>Ein ringförmiges Mikrostrukturelementes (R), insbesondere ein ringförmig angeordneter ein- oder mehrlagiger Dünnschichtfilm wird auf einem Substrat (S) zur Verwendung in einem magnetoresistivem Speicher gebildet. Dazu wird eine Maskierschicht auf dem Substrat aufgebracht, die die Oberfläche des Substrates (S) unmittelbar bedeckt. Eine Öffnung (C) wird in die Maskierschicht geätzt, so daß ein Teilbereich der Oberfläche freigelegt wird. Der Ätzvorgang wird derart ausgeführt, daß die Öffnung (C) mit einen Überhang (B) ausgebildet wird. Der Überhang schattet die freigelegte Oberfläche zumindest teilweise von einem einfallenden Teilchenstrahl (TS) ab. Unter schrägem Einfallswinkel (alpha) wird ein Teichenstrahl (TS) auf das Substrat (S) gerichtet. Dabei wird das Substrat (S) relativ zu dem gerichteten Teilchenstrahl (TS) gedreht. Aus dem Teilchenstrahl wird dadurch Material ringförmig auf der freigelegten Oberfläche zur Bildung eines lochartigen Mikrostrukturelementes (R) abgelagert.</p>
申请公布号 WO2004040603(A1) 申请公布日期 2004.05.13
申请号 WO2003DE03284 申请日期 2003.10.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;KERSCH, ALFRED;RABERG, WOLFGANG;SCHWARZL, SIEGFRIED 发明人 KERSCH, ALFRED;RABERG, WOLFGANG;SCHWARZL, SIEGFRIED
分类号 H01F41/30;H01F41/34;(IPC1-7):H01F41/30 主分类号 H01F41/30
代理机构 代理人
主权项
地址