发明名称 | 硅单晶的制造方法 | ||
摘要 | 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中,使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触,并且以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶,而不进行缩颈操作,同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。 | ||
申请公布号 | CN1149306C | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
申请号 | CN98100136.X | 申请日期 | 1998.01.16 |
申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 阿部孝夫;木村雅规 |
分类号 | C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
主权项 | 1、一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法,其中,晶种与硅熔体接触,然后在旋转的同时缓慢地提拉,以便在晶种之下生长硅单晶晶锭,该方法包含下列步骤:提供具有要与硅熔体接触的尖端的晶种,所述的尖端具有尖点形状或是它的截头;缓慢将晶种尖端与硅熔体接触,然后以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的尺寸增加到预定值;以及接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进执行缩颈操作。 | ||
地址 | 日本东京 |