发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明的一个目的是消除由布线电阻引起的电压降的影响而使显示装置的图像质量均匀。另外,本发明还有一个目的是消除由用于将驱动电路部分电连接到输入/输出端子的布线引起的时延,以提高驱动电路部分的工作速度。在本发明中,用于实现低布线电阻并经过微加工的含铜布线用作半导体器件的布线,并为TFT提供防止铜扩散的阻挡层导电薄膜作为所述含铜布线的一部分,以形成含铜布线但却没有铜扩散到TFT的半导体层中。含铜布线是一种包括叠层薄膜的布线,所述叠层薄膜至少包括以铜为主要成分的、经过微加工的导电薄膜和阻挡层导电薄膜。 |
申请公布号 |
CN1495876A |
申请公布日期 |
2004.05.12 |
申请号 |
CN03125494.2 |
申请日期 |
2003.09.22 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;纳光明 |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;梁永 |
主权项 |
1.一种制造包括布线的半导体器件的方法,所述布线至少包括具有阻挡层性质的第一导电薄膜和以铜为主要成分的第二导电薄膜的叠层,所述方法包括以下步骤:在绝缘表面上形成所述第一导电薄膜;利用刻蚀将所述第一导电薄膜加工成所需形状;通过掩模的开口部分在所述第一导电薄膜上形成所述第二导电薄膜;以及利用干刻蚀减小所述第二导电薄膜的宽度。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |