与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构

摘要

在半导体晶片上的通孔中形成元素铜的方法包括以下步骤：提供具有已构图的铜层的晶片；在所说铜层上提供绝缘层；在所说绝缘层中开出通孔；将所说晶片置于还原环境中，将所说通孔中铜上的氧化铜还原成元素铜；然后，在不将晶片暴露于氧化环境的条件下，在所说通孔中淀积与所说元素铜接触的衬里层。该方法消除了有关用传统溅射方法清洁的通孔中有关飞溅铜的问题。选择衬里，利用其粘附性和防止铜扩散的性质。

主权项

1.一种处理具有铜金属化层的半导体晶片的方法，包括以下步骤：a)提供具有已构图的铜层和所说铜层上的绝缘层的晶片；b)在所说绝缘层中提供通孔，其中在暴露于所说通孔中的铜上可能形成了氧化铜；c)将所说晶片置于处理室中；d)在所说处理室中提供还原环境，以将所说氧化铜还原为元素铜；及e)在不将晶片暴露于氧化环境的条件下，在所说通孔中淀积导体。