| 发明名称 | 一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底，包括厚度为300～800μm砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延的厚度为10～2000nm的缓冲层，在缓冲层上外延生长的厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，及其上覆盖的厚度为5～500nm的盖帽层。本实用新型提供的砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能；另外，这种制作方法还大大增加了器件结构的灵活性，并且非常适于高性能电子器件结构和光电集成电路结构。 | ||
| 申请公布号 | CN2615859Y | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03245219.5 | 申请日期 | 2003.04.14 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1.一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延的缓冲层，在缓冲层上外延生长的含Al的半导体化合物层，及其上覆盖的盖帽层。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||