| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括至少一个含有结晶硅膜的有源区，在绝缘表面上形成，其特征在于，所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。 | ||
| 申请公布号 | CN1149639C | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN98120978.5 | 申请日期 | 1994.10.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;宫永昭治;张宏勇;福永健司 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王岳 |
| 主权项 | 1.一种具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件，所述薄膜晶体管包括：一沟道区，具有一个含硅的结晶半导体层，在绝缘表面上形成；源区和漏区，所述沟道区即夹在此源区与漏区之间；一栅绝缘膜，毗邻所述沟道区；和一栅极，毗邻所述栅绝缘膜；其特征在于，所述结晶半导体层的表面具有一个{110}、{123}、{134}、{235}、{145}、{156}、{257}和{167}诸平面的至少其中之一平面，但没有{111}平面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||