| 发明名称 | 离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极 | ||
| 摘要 | 一种离子掺杂装置，本发明的课题在于：在与基片扫描方向正交方向的狭小范围内抑制离子注入量的偏差。本发明的离子掺杂装置具有使从设有多个电极孔(210)的多孔电极(200)引出的离子束向扫描的基片(300)照射的结构，由多个电极孔(210)构成的电极孔群(α...)中各电极孔(210)在与基片(300)扫描方向X正交的方向Y上错开位置配置以使电极孔群(α...)向基片(300)的离子注入量均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN1495858A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03156660.X | 申请日期 | 2003.09.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 山内哲也 |
| 分类号 | H01L21/223 | 主分类号 | H01L21/223 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李宗明;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种离子掺杂装置，其特征在于：具有使从设有多个孔的电极引出的离子束向扫描基片照射的结构，所述电极具有由多个电极孔构成的电极孔群，该电极孔群的各电极孔在与基片扫描方向正交的方向上错开位置配置。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||