| 发明名称 | 设有互补金属氧化物半导体驱动电路的半导体装置 | ||
| 摘要 | 用反相器(INV2)与(INV3)基于输入信号(IN)控制节点(N0)与(N1)的电压。并且，用反相器(INV2)中所包含的晶体管(PTT2)调整晶体管(NT1)的电压电平。将供给晶体管(NT1)栅极的栅压设定在比电源电压(VDD)低、比导通电压高的值上，从而能够大幅度降低晶体管(NT1)的栅漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1496002A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03178721.5 | 申请日期 | 2003.07.15 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 新居浩二 |
| 分类号 | H03K17/16 | 主分类号 | H03K17/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其中设有响应在输入节点接受的输入信号将电压驱动到输出节点的驱动电路，所述驱动电路包含，连接在第一电压和所述输出节点之间的、基于第一内部节点的电压电平而导通、截止的第一晶体管，连接在所述输出节点和第二电压之间的、基于第二内部节点的电压电平与所述第一晶体管互补地导通、截止第二晶体管，为了响应所述输入信号使所述第一与第二晶体管互补地导通，对所述第一与第二内部节点的电压加以控制的控制电路；所述控制电路中设有与所述第一与第二内部节点的至少一方连接的电压调整电路；所述电压调整电路基于被连接的内部节点的电压电平，在与所述被连接的内部节点对应的晶体管处于导通状态时，将所述被连接的内部节点的电压设定到跟所述第一与第二电压不同的电平。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||