发明名称 | 半导体芯片的制造方法 | ||
摘要 | 为了制造无切削变形层与破片、抗弯强度足够高的半导体芯片,在表面由线痕划分出多个电路形成的半导体单晶片W被分割成一个个电路的半导体芯片的情况下,于半导体单晶片W的表面侧形成切削余部(20)地形成从线痕的背面不到达表面的切削沟(19a)之后,从背面进行腐蚀,对背面、切削沟的侧面与切削余部(20)进行腐蚀,分割成一个个半导体芯片。 | ||
申请公布号 | CN1496580A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
申请号 | CN02806349.X | 申请日期 | 2002.12.06 |
申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 关家一马 |
分类号 | H01L21/301 | 主分类号 | H01L21/301 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 何腾云 |
主权项 | 1.一种半导体芯片的制造方法,将在表面由线痕划分形成多个电路的半导体单晶片分割成一个个电路的半导体芯片,其特征在于,至少由切削沟形成工序与腐蚀工序构成;所述切削沟形成工序是在半导体单晶片的表面侧形成切削余部地形成从线痕的背面不到达该表面的切削沟;所述腐蚀工序是从该背面进行腐蚀,对该背面、该切削沟的侧面及该切削余部进行腐蚀、分割成一个个半导体芯片。 | ||
地址 | 日本东京都 |