发明名称 |
非易失性存储装置 |
摘要 |
一非易失性存储装置,包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅,在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。 |
申请公布号 |
CN1495907A |
申请公布日期 |
2004.05.12 |
申请号 |
CN03158490.X |
申请日期 |
1997.03.24 |
申请人 |
LG半导体株式会社 |
发明人 |
崔雄林;罗庚晚 |
分类号 |
H01L27/115;G11C14/00;G11C16/02 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1、一种电可擦除可编程存储单元,包括:用于在编程期间存储电荷载流子的浮置栅装置;在编程期间通过向浮置栅装置注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程装置;在擦除的过程中用于将存储于浮置栅装置中的电荷载流子向外排放的擦除装置;在编程期间控制由编程装置向浮置栅提供的电荷载流子量的控制装置;及在编程期间校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验装置,其中校验装置是晶体管,其栅电极对应于浮置栅、沟道区、源极以及漏极。 |
地址 |
韩国忠清北道 |