自对准分离栅极与非闪存及制造方法

摘要

本发明公开了一种自对准分离栅极与非闪存单元阵列及制造方法，其中一系列的自对准分离单元形成在位线扩散与公共源极扩散之间。每个单元具有彼此堆叠并自对准的控制和浮置栅极，以及与其它两个栅极分离但自对准的第三个栅极。在一些实施例中，分离栅极用作擦除栅极，而在另一些实施例中，它们被用作选择栅极。存储单元与现有技术单元相比明显更小，并且该阵列被偏压，以使得其中所有的存储单元可同时擦除，并可位选择地编程。

主权项

1.一种与非闪存单元阵列，包括：具有有源区的衬底；多个在有源区上方按行排列的浮置栅极和控制栅极的垂直堆叠对，浮置栅极相对较薄并具有弯曲的侧边而控制栅极在浮置栅极上方；分离栅极，间插在每一行中的堆叠栅极之间并与之对齐；选择栅极，在靠近每一行的一端的堆叠栅极；位线，在每一行的上方；位线扩散，在每一行邻近选择栅极的一端处的有源区中；位线触点，使每一行中的位线与位线扩散互连；相对薄的隧道氧化物，在浮置栅极的弯曲侧边与分离和选择栅极中相邻的栅极之间；以及，源极区，在部分地在浮置栅极之下的分离栅极下的有源区中。