发明名称 结晶装置、结晶方法及所使用的相移掩模和滤波器
摘要 一种结晶装置,包括一个图象形成光学系统(3),该系统具有一个图像侧数值孔径,该孔径被设定为一个生成一个具有一反峰值图形的光强分布所需的值,并将一个非晶形半导体薄膜与一个相移掩模设置成一种光学上的共轭关系。相移掩模具有一个沿第一轴线延伸的边界区域(11)以及一个第一区域(12)和一个第二区域(13),第一和第二区域被沿一根与第一轴线相交的第二轴线设置在边界区域的两侧并且两者之间具有一个预定的相差。边界区域的相位分布是从第一区域的一个相位变化到第二区域的一个相位。
申请公布号 CN1495847A 申请公布日期 2004.05.12
申请号 CN03124916.7 申请日期 2003.09.19
申请人 株式会社液晶先端技术开发中心 发明人 谷口幸夫
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王琼
主权项 1.一种结晶装置,包括:一个相移掩模(1,6);和一个照度系统(2),该照度系统照射所述相移掩模,该结晶装置用一种光线照射一个多晶体半导体薄膜或者一个非晶形半导体薄膜,该光线的光强分布具有一个反峰值图形,该反峰值图形在一个与所述相移掩模的一个相移部分对应的区域内光强度最小,因而生成一种结晶半导体薄膜,其特征在于,还包括一个图象形成光学系统(3),该系统具有一个图像侧数值孔径,该孔径被设定为一个生成具有所述反峰值图形的所述光强分布所需要的值,并将所述多晶体半导体薄膜或非晶形半导体薄膜与所述相移掩模设定为一光学上的共轭关系,所述相移掩模具有沿着一第一轴线延伸的边界区域(11),以及第一区域(12)和第二区域(13),所述第一区域(12)和第二区域(13)被沿着一与所述第一轴线相交的第二轴线设置在所述边界区域的两侧并且两者之间具有一个预定的相差,而且所述边界区域的相位分布是,沿着所述第二轴线从所述第一区域的一个相位变化到所述第二区域的一个相位。
地址 日本神奈川县