压电体膜的制造方法、压电体元件和喷墨式记录头

摘要

一种压电体膜的制造方法，该方法包括以下步骤：将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤；干燥所述涂布膜的干燥步骤；预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤；焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤；和冷却所述压电体膜的冷却步骤；上述各步骤在含有水分的气体存在下进行，在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下，含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60％RH或60％RH以下；在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下，所述相对湿度为10～70％RH；在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200～450℃，所述相对湿度为70～100％RH；所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500～800℃，所述相对湿度为70～100％RH。

主权项

1、一种压电体膜的制造方法，该方法包括以下步骤：将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤；干燥所述涂布膜的干燥步骤；预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤；焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤；和冷却所述压电体膜的冷却步骤；其特征在于，上述各步骤在含有水分的气体存在下进行，在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下，含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60％RH或60％RH以下；在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下，所述相对湿度为10～70％RH；在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200～450℃，所述相对湿度为70～100％RH；所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500～800℃，所述相对湿度为70～100％RH。