包含配线的结构体及其形成方法

摘要

借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC:H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC:H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为为8(原子％)－20(原子％)，从而使SiC:H膜的膜密度为2.1(g/cm³)或更高。

主权项

1.一种包含配线的结构体，其包括：基体；在所述基体上方提供的绝缘膜，其中在所述绝缘膜内形成配线形状的沟道；和使用具有容易向所述绝缘膜扩散特性的导电材料填充沟道而形成的配线，其中提供防扩散膜，覆盖所述配线的上表面，其中所述防扩散膜使用氢化SiC作为材料，其密度为2.1(g/cm3)或更高。