发明名称 |
蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统 |
摘要 |
公开了一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法。因为蚀刻,使蚀刻液含有硅化合物。根据该再生方法,从蚀刻槽中抽出其中含有硅化合物的蚀刻液。然后向抽出的蚀刻液中加入水以降低蚀刻液中磷酸的浓度到80-50wt%。由于磷酸浓度降低,导致硅化合物沉淀。从蚀刻液中除去这样沉淀的硅化合物。还公开了一种使用该再生方法的蚀刻方法以及适于实施该再生方法和蚀刻方法的蚀刻系统。 |
申请公布号 |
CN1495865A |
申请公布日期 |
2004.05.12 |
申请号 |
CN03125565.5 |
申请日期 |
2003.09.17 |
申请人 |
m.FSI株式会社 |
发明人 |
伊豆田信彦;村田贡 |
分类号 |
H01L21/311;H01L21/306;C23F1/16;B01J19/00 |
主分类号 |
H01L21/311 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
范明娥;巫肖南 |
主权项 |
1.一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法,该方法包括以下步骤:从蚀刻槽内抽出所述的蚀刻液,该蚀刻液含有因蚀刻形成的硅化合物,并向抽出的蚀刻液中加入水以降低所述蚀刻液中的磷酸浓度到80-50wt%;和从所述蚀刻液中除去因磷酸浓度降低而在蚀刻液中所沉淀的硅化合物。 |
地址 |
日本东京都 |