设计相位光栅图形的方法和制造包括它的光掩模系统的方法

摘要

一种设计相位光栅图形的方法提供用于主掩模的照度的修改形式，最佳化地用于在光刻工艺中在晶片上产生一个很多个目标图形。一旦确定了要形成在晶片上的目标图形，由至少一部分相位光栅占据的区域被分成多个子单元，初始相位值分配给每个子单元，并且随机地选择子单元之一并改变最后分配给它的相位值，重复该工艺。该工艺是采用一种迭代法，其改变分配给子单元的相位值的设置，直到它们收敛于将提供用于相位光栅的设计的一个相位值设置上为止，其中该相位光栅将产生最佳化地用于在晶片上形成目标图形的照度的修改形式。

主权项

1.一种设计相位光栅图形的方法，该方法包括：选择经过光刻工艺将要形成在晶片上的目标图形；选择初级掩模的掩模图形，在光刻工艺中该掩模图形将被转录到晶片上；将对应初级掩模的至少一部分区域的区域分割成多个子单元；将多个相位值之一任意分配给子单元，由此每个子单元设有原始的一个相位值，每个相位值表示光刻工艺的曝光光线通过对应子单元的相位光栅图形的区域时产生的相位偏移；随机选择一个子单元，并将多个相位值之一分配给被选择的一个子单元，并重复各个子单元的所述随机选择和给它的相位值之一的所述分配，以便产生分配给子单元的相位值的多个设置；和在相位值的设置基础上，相对于相位光栅图形的倾向，评估相位值的多个设置，以便产生用于初级掩模的改性照度的形式，该照度的修改形式对于在光刻工艺中在曝光光线经过相位光栅图形照射到掩模上时，可以最佳化地在晶片上产生目标图形。