发明名称 动态随机存取存储器
摘要 一种动态随机存取存储器,其中一种连接开关电路设置在一感应放大器和一数据总线之间,或设置在存储块之间,该存储块电路由相应的数据写/读控制信号控制,以便使其有能力以高速读取位线信号并可使集成电路的线路布局面积减小。
申请公布号 CN1149580C 申请公布日期 2004.05.12
申请号 CN97123118.4 申请日期 1994.12.23
申请人 索尼公司 发明人 宇田明博;桥口昭彦;中川原明
分类号 G11C11/401 主分类号 G11C11/401
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;王忠忠
主权项 1.一种半导体存储装置,其中位线被划分且连接在存储块中的多个存储阵列上,该存储装置包括:读出放大器,用于每个存储阵列,各读出放大器由交叉连接在位线之间且连接在信号输送线和反相信号输送线之间的触发器组成,以互补电平的形式锁存位线对的数据,并将其放大;开关装置,用以连接属于毗邻存储阵列的位线,该开关装置由一对金属氧化物半导体晶体管组成,插入并分别连接到位线之间,其栅极一起连接到信号输送线;以及门装置,以并联形式连接到涉及位线的开关装置上,该门装置由两个反相器组成,各反相器内晶体管的漏极和栅极彼此连接,两反相器的漏极和源极分别接互补的信号输送线,其连接后的栅极分别连接到存储块和开关电路两侧之间,各反相器中互联的源极、漏极分别连接到开关电路和下一存储块之间的位线上。
地址 日本东京都