发明名称 光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障
摘要 本发明是一种具有箔收集器、用于EUV光刻的光刻投射装置。该箔收集器在EUV源后形成一个开放的结构,使EUV辐射不受阻碍地通过。该箔收集器构造为可以绕光轴旋转。通过旋转箔收集器,横切EUV辐射传播方向的脉冲可以传输到EUV束中的碎片上。这些碎片将不能通过箔收集器。这样,减少了箔收集器下游光学元件上的碎片数量。
申请公布号 CN1495531A 申请公布日期 2004.05.12
申请号 CN03147043.2 申请日期 2003.08.21
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 L·P·巴克;F·J·P·舒尔曼斯;V·Y·班尼内
分类号 G03F7/20;H01L21/68;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 黄力行
主权项 1.一种光刻投射装置,包括:-将辐射源(6)发射的辐射形成辐射投射束(6’)的辐射系统(3,4);-构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15);-构造成保持基底的基底台(20);和-构造并设置成将构图部件的被照射部分成像到基底靶部上的投射系统(5),和-靠近辐射源(6)、用于防止辐射源(6)发射的物质沿光轴(O)传播的通道装置(9,43),该通道装置(43)包括一个中心(44)和宽度方向横向于光轴(O)、长度方向通常沿光轴(O)方向延伸的多个狭长通道构件(41),其特征在于:所述通道装置(43)绕光轴(O)是可旋转的,所述光刻投射装置包括与所述通道装置(43)相连的驱动装置(46),用于使所述通道装置(43)绕光轴(O)旋转。
地址 荷兰维尔德霍芬