发明名称 | 磁阻效应元件、磁存储器及其制造方法 | ||
摘要 | 磁阻效应元件包括有磁敏感层的叠层体,外部磁场改变磁敏感层的磁化方向,构成为使电流按垂直于其叠层面的方向流动,设置在叠层体的一面的边上的环形磁性层用沿着叠层面的方向构成轴向并被多根引线穿过,使电流流入多根引线能形成闭合磁路,能更有效地进行磁敏感层的磁化反向。 | ||
申请公布号 | CN1495929A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
申请号 | CN03125540.X | 申请日期 | 2003.09.13 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 江崎城一朗;古贺启治;柿沼裕二 |
分类号 | H01L43/08;G11C11/15 | 主分类号 | H01L43/08 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
主权项 | 1,一种磁阻效应元件,包括:一叠层体,有一磁敏感层,用外部磁场改变磁敏感层的一个磁化方向,构成为使电流按垂直于其叠层面的方向流动;一环形磁性层,设置在叠层体的一面的边上,用沿叠层面的方向构成轴向;和穿过所述环形磁性层的多根引线。 | ||
地址 | 日本东京都 |