触点结构及制造方法，薄膜晶体管阵列面板及制造方法

摘要

在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。

主权项

1.一种半导体器件的触点结构，该触点结构包括；可干蚀刻的下导电膜；形成在下膜上的含Al或Al合金的上导电膜，上膜具有位于下膜上的边缘；绝缘体，其具有露出至少一部分下膜的接触孔；和IZO层，其形成在绝缘体上，通过接触孔接触下膜。