| 主权项 |
1.制备具有结晶性的半导体膜的方法，所述方法包含：在玻璃基片上形成包含非晶硅的所述半导体膜；制备包含下述的设备，位于基座上的运载单元，所述运载单元用于在其上放置玻璃基片，位于基座上的至少一个氧化单元，所述氧化单元用于氧化玻璃基片的表面，位于基座上的位置决定单元，所述位置决定单元用于确定玻璃基片的位置，位于基座上的至少一个清洗单元，所述清洗单元用于清洗玻璃基片，位于基座上的至少一个涂敷单元，所述涂敷单元用于将溶液涂布在玻璃基材的表面上，位于玻璃基片上的至少一个干燥单元，所述干燥单元用于干燥玻璃基片，位于基座上的至少一个冷却单元，所述冷却单元用于冷却玻璃基片，和位于基座上的搬送装置，所述搬送装置用于将基片由上述单元中的一个单元搬送到另一个单元；通过所述搬送装置将所述玻璃基片搬送到所述氧化单元；在所述氧化单元氧化所述玻璃基片以在半导体薄膜的表面上形成薄的氧化层，所述薄氧化层能够将所述催化剂材料分配到半导体膜的整个表面；通过所述搬送装置将所述玻璃基片搬送到涂敷单元；和形成与所述半导体薄膜的表面接触的含有催化剂材料的溶液，以在所述半导体膜的表面上提供连续的层，所述催化剂材料能够促进所述非晶硅的结晶。 |
