| 发明名称 | 磁存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁存储装置，包括：半导体衬底(21)；在上述半导体衬底上方配置的存储信息的MTJ元件(5)；在上述半导体衬底和上述MTJ元件之间沿第一方向配置的第一布线(2)，该第一布线向MTJ元件施加磁场，且具有面对上述MTJ元件的第二面和在该第二面相反侧的第一面，上述第二面的宽度比上述第一面的宽度小；以及在上述MTJ元件的上方沿与上述第一方向不同的第二方向配置的第二布线(3)，该第二布线向MTJ元件施加磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN1495902A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03158786.0 | 申请日期 | 2003.09.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福住嘉晃 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/00;G11C11/15 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁存储装置，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上方配置的存储信息的MTJ元件；在上述半导体衬底和上述MTJ元件之间沿第一方向配置的第一布线，该第一布线向MTJ元件施加磁场，且具有面对上述MTJ元件的第二面和在该第二面相反侧的第一面，上述第二面的宽度比上述第一面的宽度小；以及在上述MTJ元件的上方沿与上述第一方向不同的第二方向配置的第二布线，该第二布线向MTJ元件施加磁场。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||