| 主权项 |
1.一种阴极铝箔之制造方法,其具有高静电容量适合作为化学蚀刻生产方式之铝电解电容器用之原材料,其步骤包括:将至多0.6 wt%矽、至多0.7 wt%铁、至多0.1 wt%锌、0.02-0.2 wt%铜、1-1.5 wt%锰及铝等成份熔融成铝液,再将该铝液浇铸成符合AA3003成份规格范围内之铝胚;依序对该铝胚施行均质化、热轧延及第一次冷轧延处理;其中该均质化温度≧450℃,该热轧延温度≧270℃;对该铝胚施行中间退火热处理,温度325-415℃,使得该铝胚内部形成每m平方面积内拥有1 - 15个0.05 -0.50m之微细析出物;以及对该铝胚施行第二次冷轧延处理。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该均质化步骤是将该铝胚于450-600℃温度范围内,保持3-18小时。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热轧延步骤之热轧温度范围系270-520℃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一次冷轧延步骤之厚度裁减量是至少要在50%以上。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中间退火热处理步骤是将该铝胚于325-415℃温度范围内,保持2-8小时。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二次冷轧延步骤之厚度裁减量是至少要在80%以上。图式简单说明:第1图系显示本发明制程方法流程之示意图。第2图系显示以导电度量测仪量测均质化过程中铝材导电度之变化。第3图系显示以影像分析仪量测铝材经中间退火热处理后,铝材内部二次析出物之大小分布。第4图系显示以硬度量测仪量测铝材经中间退火热处理后,其硬度値之变化。 |
