发明名称 气体成分处理薄片及使用该薄片之电致发光元件
摘要 本发明之气体成分处理薄片,其特征在于,具有母材薄膜(具气体透过性)以及去除剂粒子(用以去除既定之气体成分),该去除剂粒子系分散于前述母材薄膜中。于母材薄膜可进一步积层上保护层或接着剂层。由于此气体成分处理薄片之母材薄膜本身为保持着去除剂粒子之薄片状的构件,其大小与形状乃易于调整。
申请公布号 TW587396 申请公布日期 2004.05.11
申请号 TW090117389 申请日期 2001.07.16
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 西井弘行;益子浩明
分类号 H05B33/02 主分类号 H05B33/02
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种气体成分处理薄片,其特征在于,具有母材薄膜(具气体透过性)以及去除剂粒子(用以去除既定之气体成分),前述去除剂粒子系分散于前述母材薄膜中。2.如申请专利范围第1项之气体成分处理薄片,其中,母材薄膜系多孔质薄膜。3.如申请专利范围第1项之气体成分处理薄片,其中,母材薄膜系择自聚烯烃系树脂与氟树脂之至少一者所构成者。4.如申请专利范围第3项之气体成分处理薄片,其中,氟树脂系聚四氟乙烯。5.如申请专利范围第1项之气体成分处理薄片,其中,去除剂粒子系具有将择自水蒸气、氧以及有机物蒸气之至少一成分加以去除之机能。6.如申请专利范围第1项之气体成分处理薄片,系进一步具有保护层(具气体透过性),于母材薄膜积层前述保护层。7.如申请专利范围第6项之气体成分处理薄片,其中,保护层系多孔质薄膜。8.如申请专利范围第1项之气体成分处理薄片,系进一步具有接着层,且前述接着层系配置于最外层。9.如申请专利范围第8项之气体成分处理薄片,系进一步具有保护层(具气体透过性),前述保护层系配置在与接着层为相反侧之最外层。10.一种气体成分处理薄片形成用构件,系具有申请专利范围第8项之气体成分处理薄片以及剥离基材,且复数之气体成分处理薄片系以使得接着剂层与前述剥离基材相接的方式配置于前述剥离基材上。11.一种电致发光元件,系具有申请专利范围第1项之气体成分处理薄片。图式简单说明:图1所示系本发明之气体成分处理薄片之一形态之截面图。图2所示系本发明之气体成分处理薄片之另一形态之截面图。图3所示系本发明之气体成分处理薄片之又一形态之截面图。图4所示系本发明之EL元件之一形态之截面图。图5所示系本发明之EL元件之另一形态之截面图。图6所示系习知之吸附构件之截面图。
地址 日本