| 主权项 |
1.一种自一半导体基材中移除光阻材料的方法,包含:提供一半导体基材,于该半导体基材之上包含一低介电常数材料层,且该半导体基材于该低介电常数材料层之上另包含一光阻材料层,该光阻材料为一有机材料;以及藉由化学性地溶解该光阻材料而不实质性地损害该低介电常数材料的方式而使用二甲基亚移除该光阻材料层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数等于或低于3.0。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数介于1.5至3.0之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中移除该光阻材料层之二甲基亚系为液态。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该半导体基材进行超音波浴。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该超音波浴至少加热至50℃5℃。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该半导体基材进行超音波浴之时间不超过约五分钟一分钟。8.一种形成一半导体元件的方法,包含:提供一半导体基材;于该半导体基材之上形成一低介电常数材料层;于该低介电常数材料层之上形成一光阻材料层,该光阻材料为一有机材料;进行该光阻材料层之图案转移(pattern);以及藉由化学性地溶解该光阻材料而不实质性地损害该低介电常数材料的方式而使用二甲基亚移除该光阻材料层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数等于或低于3.0。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数介于1.5至3.0之间。11.如申请专利范围第8项之方法,其中移除该光阻材料层之二甲基亚系为液态。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体基材进行超音波浴。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该超音波浴至少加热至50℃5℃。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该半导体基材进行超音波浴之时间不超过五分钟一分钟。15.一种自一半导体基材中移除光阻材料的方法,包含:提供一半导体基材,于该半导体基材之上包含一低介电常数材料层,且该半导体基材于该低介电常数材料层之上另包含一光阻材料层,该光阻材料为一有机材料;以及将该半导体基材置于液态二甲基亚之超音波浴中,其中该二甲基亚藉由化学性地溶解该光阻材料而不实质性地损害该低介电常数材料的方式而用以移除该光阻材料层。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数等于或低于3.0。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该低介电常数材料之介电常数介于1.5至3.0之间。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该超音波浴至少加热至50℃5℃。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该半导体基材进行超音波浴之时间不超过五分钟一分钟。图式简单说明:第一图为标准半导体晶圆制造各层之剖视图第二图为第一图所示经显影及移除光阻材料层之示意图第三图为第二图所示经蚀刻定义晶圆特征之示意图第四图为第三图所示移除剩余光阻材料层之示意图 |
