晶圆中心校正器与其校正方法

摘要

本发明提供一种晶圆中心校正器与其校正方法，系用以校正在晶圆沉积或蚀刻反应室中，因聚焦环未组装正确所造成之晶圆沉积或蚀刻反应不均一性。本发明之晶圆中心校正器包含晶圆中心校正器本体、晶圆中心校正器底肋、晶圆中心校正器握把或其他可藉以使晶圆中心校正器旋转一周之装置。在使用本发明之晶圆中心校正器时，将底肋置入聚焦环与晶圆承放机台所形成之环形间隙内，并将晶圆中心校正器旋转一周。因为若聚焦环未组装正确以致环形间隙宽度不均，则在间隙较小处，晶圆中心校正器底肋会与聚焦环壁摩擦推移，使得在晶圆中心校正器底肋旋转一周后，聚焦环与晶圆承放机台形成均匀之环形间隙，藉此可提升晶圆沉积或蚀刻反应之均一性。同时，由于本发明之晶圆中心校正器使用方法简便快速，所以可以用经济有效的方式提升晶圆沉积或蚀刻反应之均一性。

主权项

1.一种晶圆中心校正器,系用以校正反应室内聚焦环之组装误差,包含:一本体;以及一底肋,位于该本体之一侧,该底肋适足以放置在该反应室中的静电吸盘与该聚焦环之间的间隙中,当该校正器旋转后使得在该静电吸盘与该聚焦环之间形成均匀之间隙。2.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之反应室为蚀刻反应室。3.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之反应室为沉积反应室。4.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之底肋为弧形,其曲率与该聚焦环相符合。5.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之主体具有两个该底肋。6.如申请专利申请范围第5项所述之晶圆中心校正器,其中上述之两个底肋之弧长总和大于该间隙二分之一周长。7.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之底肋之材质为工程塑胶。8.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,更包含一把手位于该主体之另一侧。9.如申请专利申请范围第1项所述之晶圆中心校正器,其中上述之主体的形状为龟甲状四边形,由一组等长平行对边及两相同圆弧构成。10.一种晶圆中心校正方法,系在反应室中校正一静电吸盘与一聚焦环使其成为同心圆,包含:提供一校正器,系包含一本体以及一底肋,该底肋位于该本体之一侧;将该校正器置于该静电吸盘以及该聚焦环上,使得该底肋适足以放置在该反应室中的静电吸盘与该聚焦环之间的间隙中;以及将该校正器旋转,使得在该静电盘与该聚焦环之间形成均匀之间隙。11.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之反应室为蚀刻反应室。12.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之反应室为沉积反应室。13.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之底肋为弧形,其曲率与该聚焦环相符合。14.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之主体具有两个该底肋。15.如申请专利申请范围第14项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之两个底肋之弧长总和大于该间隙二分之一周长。16.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之底肋之材质为工程塑胶。17.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,更包含一把手位于该主体之另一侧。18.如申请专利申请范围第10项所述之晶圆中心校正方法,其中上述之主体的形状为龟甲状四边形,由一组等长平行对边及两相同圆弧构成。图式简单说明:第一图所示是一套典型半导体制程的示意图;第二图所示是一电浆蚀刻反应室之侧视图;第三图所示是电浆蚀刻反应室中晶圆负载端的侧视图;第四图所示是正在进行蚀刻的反应室侧视图;第五图是此晶圆中心晶圆中心校正器的侧视图;第六图是此晶圆中心晶圆中心校正器的上视图;第七图是此晶圆中心晶圆中心校正器的下视图;第八A-八C图所示是聚焦环与静电吸盘形成环形间隙的示意图;第九A-九B图所示是常见蚀刻制程的示意图;及第十图所示是经本发明之晶圆中心校正器校正后被蚀刻晶圆之各项量测数据。