发明名称 光电装置及该制造方法
摘要 本发明系有关液晶装置、EL(电激发光)装置等之光电装置,使用该光电装置之制造方法、及使用其光电装置所构成之电子机器。
申请公布号 TW587189 申请公布日期 2004.05.11
申请号 TW091107785 申请日期 2002.04.16
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 上岛基弘;田中千浩;露木正;本田贤一;金子英树;日向章二
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种光电装置,其特征系具有第1基板,和沿该第1基板之1边,且向与该1边交叉的另一边引领之配线,和被覆该配线之被覆层。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,具有对向于前述第1基板之第2基板,和形成于该第2基板之电极,和配置于前述第1基板和前述第2基板间之液晶;前述被覆层系包围前述液晶之密封材,前述配线系连接于前述电极。3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述电极系设有复数个,前述配线系各别导通于前述复数之电极,设有复数条,前述复数之配线中之至少一条之配线和对应该配线之前述电极系于前述第1基板之1边侧导通,前述复数之配线中之其他之配线和对应该配线之前述电极系于与前述1边对向之边侧导通。4.如申请专利范围第1项至第3项之任一项之光电装置,其中,前述配线之一端系连接于外部连接电路者。5.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,更具有包含于前述密封材中之导通材,前述配线和前述电极系经由前述导通材所连接者。6.如申请专利范围第1项至第3项之任一项之光电装置,其中,更具有于前述第1基板之上,堆积第1金属膜和绝缘膜和第2金属膜所成之薄膜二极体,前述配线系经由与前述第1金属膜或前述第2金属膜中之至少一方为同一层地加以形成。7.如申请专利范围第6项之光电装置,其中,更具有连接于前述薄膜二极体之画素电极,前述配线系经由与前述第1金属膜或前述第2金属膜或前述画素电极中之至少一方为同一层地加以形成。8.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,更具有形成于前述第2基板上之配线,前述配线系具有经由前述密封材之边所被覆的同时,向与该边略同方向延伸存在的被覆部分。9.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述密封材系包含被覆前述配线之部位及未被覆前述配线之部位,被覆前述配线之部位系较未被覆前述配线之部位宽广地加以形成。10.如申请专利范围第5项之光电装置,其中,前述密封材系包含含有前述导通材的导通部,和不包含前述导通材的非导通部,前述配线系经由前述非导通部所被覆。11.如申请专利范围第10项之光电装置,其中,前述配线系引领至较该配线和前述电极之导通位置为内侧位置者。12.一种光电装置之制造方法,属于在藉由框状之密封材贴合之一对基板间,具有液晶的光电装置之制造方法,其特征系具有于前述一对基板之至少一方之基板,形成配线的第1工程,和将前述一对基板藉由密封材接合的第2工程;该第2工程中,与前述该密封材边之中的前述配线之一部分的延伸存在方向,向略为相同方向延伸的边,被前述配线之一部分被覆,而接合前述一对基板者。13.如申请专利范围第12项之光电装置之制造方法,其中,前述第2工程系具有于形成前述配线之一方之基板之上,经由与前述该密封材边之中的前述配线之一部分的延伸存在方向,向略相同方向延伸的边,被覆该配线之一部分,而形成该密封材的工程,和藉由前述密封材接合前述一对之基板的工程者14.如申请专利范围第12项或第13项之光电装置之制造方法,其中,更具有于前述一对之基板之一方,形成前述密封材的一部分的工程,和于前述一对之基板之另一方,形成前述密封材之残留部分的工程;于前述第2工程中,接系前述密封材之一部分和前述密封材之残留部分,形成前述密封材之整体者。15.如申请专利范围第14项之光电装置之制造方法,其中,前述密封材之一部分系前述密封材之内侧之框状部分,前述密封材之残留部分系前述密封材之外侧之框状部分。16.如申请专利范围第14项之光电装置之制造方法,其中,前述密封材之一部分及前述密封材之残留部分之一方系包含导通材,前述密封材之一部分及前述密封材之残留部分之另一方系包含非导通性之间隔材。17.如申请专利范围第14项之光电装置之制造方法,其中,前述密封材之一部分及前述密封材之残留部分系于贴合前述一对之基板时,具有相互重叠的叠合部。图式简单说明:【图1】可实施本发明之光电装置之一例的液晶装置中,尤其显示使用TFD元件之主动矩阵方式之液晶装置之电气性构成的等价电路图。【图2】显示将本发明实施于光电装置之一例的液晶装置时之实施形态,(a)系自观察侧所见之液晶装置之斜视图,(b)系自背面侧所见之液晶装置之斜视图。【图3】显示根据图2(a)之C-C'线之液晶装置之截面构造的截面图。【图4】显示图2(a)所示液晶装置之显示范围内之构成的斜视图。【图5】(a)系显示图4之1个画素电极及1个之TFD元件的平面图,(b)系根据(a)之E-E'线的截面图,(c)系根据(a)之F-F'线的截面图。【图6】显示图2(a)所示之液晶装置之平面截面图。【图7】根据图6之G-G'线的截面图。【图8】(a)系显示图6中扩大以箭头P所示部分的平面图,(b)系根据(a)之H-H'线的截面图,(c)系根据(a)之I-I'线的截面图,(d)系根据(a)之J-J'线的截面图。【图9】有关本发明之光电装置之制造方法之一实施形态中,将关于TFD元件之制造方法,依工程顺序加以显示之图。【图10】显示关连于示于图9工程之工程图。【图11】有关本发明之光电装置之制造方法之实施形态中,将关于绕道配线之制造方法,依工程顺序加以显示之图。【图12】有关本发明之光电装置之制造方法之实施形态中,将关于设于对向基板上之要素之制造方法,依工程顺序加以显示之图。【图13】显示连接图12之工程图。【图14】显示将本发明实施于光电装置之一例的液晶装置时之其他之实施形态的平面截面图。【图15】显示示于图14之液晶装置之电极和配线的关系之平面图。【图16】有关于本发明之电子机器之实施形态,(a)系显示电子机器之一例的个人电脑之斜视图,(b)系显示电子机器之另一例的携带型电话之斜视图。【图17】将本发明实施于光电装置之一例的液晶装置时之另一实施形态,一部分剖开显示的平面图。【图18】显示扩大图17所示液晶装置之画素部分的平面图。【图19】根据图18之N-N'线,显示液晶装置之内部之截面构造的截面图。【图20】显示扩大于图17以箭头S所示部分图。【图21】根据图20之T-T'线,扩大显示液晶装置之密封部分之截面图。【图22】显示为制造图21所示之密封构造之方法之一例的截面图。【图23】将本发明实施于光电装置之一例的EL装置时之一实施形态,一部分剖开显示的平面图。【图24】根据图23之Y-Y'线,显示EL装置之截面构造的截面图。【图25】于图23,扩大显示以箭头L所示显示点部分之平面图。【图26】对应于图25之构造之电气性等价电路图。【图27】根据图25之M-M'线,显示TFT之截面构造的截面图。
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