发明名称 近场光学头物镜
摘要 本发明系为一种可写入并读取光碟片上高储存密度资料之近场光学头物镜,系于近场光学头物镜产生入射光汇集焦点之表面,镀上可产生表面电浆效应之膜层,利用入射光聚焦于该材料产生表面电浆效应的特性,藉以产生微孔径用以缩小所形成光点之直径,提高光碟片所能储存之资料容量;本发明包含近场光学头物镜以及膜层;近场光学头物镜用以汇集所有入射光至焦点上,其膜层形成于近场光学头物镜产生焦点之表面上,藉以透过表面电浆效应产生微孔径,进而缩小所形成光点之直径。伍、(一)、本案代表图为:第6图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:10 聚焦透镜11 半球型透镜12 碟片28 近场光学头物镜上可产生表面电浆效应之膜层40 微孔隙
申请公布号 TW587177 申请公布日期 2004.05.11
申请号 TW091138073 申请日期 2002.12.31
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李源钦;朱朝居;郑尊仁;廖文毅;张吉龙;朱志雄;邱国基;吴至原
分类号 G02B3/00;G11B7/12 主分类号 G02B3/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种近场光学头物镜,包含: 一聚焦表面,用以滙集所有入射光至该聚焦表面之 一焦点上;及 一膜层,形成于该聚焦表面之该焦点处,入射光通 过该膜层系与其发生表面电浆效应并产生一微孔 隙,进而缩小所形成光点之直径。2.如申请专利范 围第1项所述之近场光学头物镜,其中该近场光学 头物镜系采用于一光碟机之读写头。3.如申请专 利范围第2项所述之近场光学头物镜,该光碟机之 资料读取、写入均透过具有近场光学头物镜之读 写头达成。4.如申请专利范围第1项所述之近场光 学头物镜,其中该膜层至少包含复数个界面层、一 标示层以及一纪录层。5.如申请专利范围第4项所 述之近场光学头物镜,其中该介面层之构成材料系 可选自ZnS-SiO2.SiN、A1N以及SiO2组成群组中之一个。 6.如申请专利范围第4项所述之近场光学头物镜,其 中该标示层之构成材料系可选自AgOx及Sb组成群组 中之一个。7.如申请专利范围第4项所述之近场光 学头物镜,其中该膜层中,该介面层成份系为硫化 锌-二氧化矽复合物(ZnS-SiO2),该标示层成份系为氧 化银(AgOx)。8.如申请专利范围第4项所述之近场光 学头物镜,其中该膜层中,该介面层成份系为氮化 矽(SiN),该标示层成份系为锑(Sb)。9.如申请专利范 围第1项所述之近场光学头物镜,其中该近场光学 头物镜系包含一聚焦透镜及一半球型(Hemi-shere)透 镜。10.如申请专利范围第1项所述之近场光学头物 镜,其中该近场光学头物镜系包含一聚焦透镜及一 超球型(Super-shere)透镜。图式简单说明: 第1图系传统型半球体(Hemi-shere)近场光学物镜示意 图; 第2图系传统型超球体(Super-shere)近场光学物镜示 意图; 第3图系改良型半球体(Hemi-shere)近场光学物镜示意 图; 第4图系改良型半球体(Hemi-shere)微孔阵列近场光学 物镜示意图; 第5图系超解析近场结构示意图; 第6图系本发明所揭露之近场光学头物镜结构示意 图; 第7图系本发明所揭露之近场光学头物镜结构之实 施例示意图; 第8-1图系为本发明所揭露产生表面电浆(Surface Plasmon)效应之膜层结构示意图; 第8-2图系为本发明所揭露产生表面电浆(Surface Plasmon)效应膜层之第一实施例结构示意图;及 第8-3图系为本发明所揭露产生表面电浆(Surface Plasmon)效应膜层之第二实施例结构示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号