| 主权项 |
1.决定被施加载体上之层厚之方法, 其中施加该层至该载体之施加处理或从该载体 移除该层之移除处理之至少部分光谱范围之时间 轮廓系被侦测, 其中主要成份分析系被实施于该被侦测光谱范 围,藉此光谱主要成份轮廓及时间主要成份轮廓系 被决定, 其中至少一对时间主要成份轮廓及与各主要成 份相关之光谱主要成份轮廓系被挑选, 其中波长波封系被决定于该光谱主要成份轮廓, 及时间信号波封系被决定于该时间主要成份轮廓, 其中该层厚之预定量特征値系被决定自该波封 或被决定之该波封,及 其中该被施加层之层厚系被决定自该特征量値 。2.如申请专利范围第1项之方法,其中施加该层至 该载体之半导体物质施加处理,或从该载体移除该 层之半导体物质移除处理之至少部分光谱范围之 时间轮廓系被侦测。3.如申请专利范围第1项之方 法,其中从该载体蚀刻移除该层之蚀刻处理之至少 部分光谱范围之时间轮廓系被侦测。4.如申请专 利范围第3项之方法,其中从该载体蚀刻移除该层 之电浆蚀刻处理之至少部分光谱范围之时间轮廓 系被侦测。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其 中振荡程度大于临界値之那些主要成份轮廓系被 挑选。6.如申请专利范围第1或2项之方法, 其中波长波封系被决定于该光谱主要成份轮廓, 而时间信号波封系被决定于该光谱主要成份轮廓, 其中本质上该各波封波长最大値系被决定自该 被决定之波长波封, 其中接近波封波长最大値且包围后者之该两波 长最大値间之该距离,系被决定自该光谱主要成份 轮廓, 其中本质上该各波封时间信号最大値系被决定 自该被决定之时间信号波封, 其中接近该波封时间信号最大値且包围后者之 该两时间信号最大値间之该距离系被决定自该时 间主要成份轮廓,以及 其中该被施加层之该层厚系被决定自该波封波 长最大値,该两波长最大値间之该距离、该波封时 间信号最大値及该两时间信号最大値间之该距离 。7.如申请专利范围第1或2项之方法, 其中该层厚对时间之该改变率系附带被决定。8. 决定被施加载体上之层厚之装置,具有下列方法步 骤可被实施之方式被设立之处理器单元: 施加该层至该载体之施加处理或从该载体移除 该层之移除处理之至少部分光谱范围之时间轮廓 系被侦测, 主要成份分析系被实施于该被侦测光谱范围,藉 此光谱主要成份轮廓及时间主要成份轮廓系被决 定, 至少一对时间主要成份轮廓及与各主要成份相 关之光谱主要成份轮廓系被挑选, 波长波封系被决定于该光谱主要成份轮廓及/或 时间信号波封系被决定于该时间主要成份轮廓, 该层厚之预定量特征値系被决定自该波封或被 决定之该波封,及 该被施加层之层厚系被决定自该特征量値。9. 监视施加层至载体之施加处理或从该载体移除层 之移除处理之监视系统, 具有被设立实施该施加处理或该移除处理之处 理室, 具有侦测该处理室中之光侦测单元, 具决定被施加载体上之层厚之装置,具有下列方 法步骤可被实施方式之被设立之处理器单元: 施加该层至该载体之施加处理或从该载体移除 该层之移除处理之至少部分光谱范围之时间轮廓 系被侦测, 主要成份分析系被实施于该被侦测光谱范围,藉 此光谱主要成份轮廓及时间主要成份轮廓系被决 定, 至少一对时间主要成份轮廓及与各主要成份相 关之光谱成份轮廓系被挑选, 波长波封系被决定于该光谱主要成份轮廓,及时 间信号波封系被决定于该时间主要成份轮廓, 该层厚之预定量特征値系被决定自该波封或被 决定之该波封,及 其中该被施加层之层厚系被决定自该特征量値 。图式简单说明: 第一图显示依据本发明实施例之监视施加层至载 体之施加处理或从该载体移除至少部份层之移除 处理之监视系统; 第二图显示传输事件中及薄层反射事件中之光束 进展描绘; 第三a及b图显示用于被技术模拟决定之第二主要 成份之模拟光谱主要成份轮廓(3a)及模拟时间主要 成份轮廓; 第四图显示具各主要成份分析(PCA)成份局部最大 値之模拟波长干涉信号描绘; 第五a至e图显示依据本发明第一实施例之五个最 大主要成份之光谱主要成份轮廓; 第六a至e图显示依据本发明第一实施例之五个最 大主要成份之时间主要成份轮廓; 第七a及b图显示依据本发明第一实施例之第二大 主要成份之光谱主要成份轮廓(第七a图)及时间主 要成份轮廓(第七b图); 第八a及b图显示用于波长主要成份轮廓(第八a图) 及时间信号主要成份轮廓(第八b图)之第二主要成 份之相对近似表现之图示; 第九a至e图显示依据本发明第二实施例之五个最 大主要成份之光谱主要成份轮廓; 第十a至e图显示依据本发明第二实施例之五个最 大主要成份之时间主要成份轮廓; 第十一a及b图显示依据本发明第二实施例关于第 三大主要成份之光谱主要成份轮廓(第十一a图)及 时间主要成份轮廓(第十一b图)之放大图; 第十二a及b图显示依据本发明第二实施例用于光 谱主要成份轮廓(第十二a图)及时间主要成份轮廓( 第十二b图)之第三大主要成份之相对近似表现图 示。 |
