半导体器件的制造方法

摘要

本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构20具有依次层叠了多晶硅10、氧化硅膜11、抗反射膜12的结构，在抗反射膜12上设置了光致抗蚀剂13。首先，(i)设定氧化硅膜11的膜厚，使得抗反射膜12与光致抗蚀剂13的界面上的、从光致抗蚀剂13一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜11的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包括：(a)在基底层上形成抗反射膜的工序；以及(b)在上述抗反射膜上形成成为图形构制对象的正型光致抗蚀剂的工序，还包括关于经上述光致抗蚀剂入射的曝光用的光在上述抗反射膜与上述光致抗蚀剂的界面上的反射系数的：(i)设定使上述反射系数的绝对值在第1值以下的上述抗反射膜和上述基底层的至少某一方的各参数的范围的工序；以及(ii)在由上述工序(i)设定的范围内，设定使上述反射系数的相位的绝对值在第2值以上的上述各参数的范围的工序。